6月4日，四川省经济和信息化厅发布《四川省“十四五”企业技术改造规划（征求意见稿）》（以下简称《规划》），规划期为2021年——2025年。

　　其中，电子信息产业被列入重点投资领域。

　　一、重点培育发展的产品

　　（一）集成电路与新型显示产品

　　重点培育发展：6英寸/8英寸/12英寸集成电路硅片、绝缘体上硅（SOI）、化合物半导体材料，光刻胶、靶材、抛光液、研磨液、封装材料等集成电路材料。化合物半导体芯片，高集成度、高性能5G、超高清视频、卫星导航、物联网、人工智能等集成电路芯片。高性能非晶硅（a-Si）/低温多晶硅（LTPS）/氧化物（Oxide）液晶显示器（TFT-LCD）面板产品；新型有源有机电致发光二极管（AMOLED）面板产品；4K、8K等超高清显示器件；超高清视频摄录编设备、超高清视频终端整机等。智能手机、智能可穿戴、智慧家庭、智能车载终端等产品。6代及以上玻璃基板、高性能混合液晶、驱动IC、高纯度靶材、高性能长寿命有机发光材料、量子点材料、5.5代及以上精细金属掩膜板、高纯度化学品、柔性基板材料、高性能激光器等。重点发展玻璃基板、光掩膜版，偏光片、靶材、液晶材料、光刻胶等关键材料。微波通信、IP、CPU、功率半导体、汽车电子的开发设计。倒装芯片、扇出型封装、圆片级封装、堆叠封装等封装技术、IGBT模块等功率器件封装技术。缺陷检测设备、激光加工设备以及真空零部件、高精密陶瓷零部件、投影镜头等设备。Micro-LED（发光二极管微缩化和矩阵化技术）、激光显示、高世代掩膜版、OLED（有机发光半导体）、电子材料、玻璃基板、偏光片、湿制程化学药液等材料，激光切割机、自动光学检测仪器等设备。

　　（二）新一代网络技术产品

　　重点培育发展：NB-IoT专用芯片、模组、网络设备、物联应用产品；5G基站的中高频器件、波束赋型阵列天线、基带处理算法等；6G使用的100GHz～10THz的太赫兹频段，大功率GaN太赫兹二极管制备、大功率太赫兹固态电子放大器、高效率太赫兹倍频器混频器等。

　　（三）软件与信息服务业产品

　　重点培育发展:工业设计工具软件、产品设计工具软件、工控软件等；信息安全可靠芯片、物联网安全芯片、通信网络安全芯片等。

　　二、重点突破推广的技术及装备

　　发展MEMS企业及射频/毫米波/太赫兹器件的特种封装测试等集成电路封装技术。加快人工智能领域智能算法、智能工具软件、软件开放平台等关键技术攻关。

　　突破高集成度、高性能5G、超高清视频、卫星导航、物联网、人工智能等高可靠性、高精度的设备和材料等核心关键技术，加快开发和应用高端芯片、传感器、传感网组网关键设备。

　　重点发展12英寸集成电路生产线设备，刻蚀机、光刻机、薄膜设备清洗设备、工艺检测等设备；大尺寸硅单晶生长设备，截断、滚圆、研磨、倒角、抛光等晶圆材料加工设备；6-8 英寸碳化硅单晶炉设备；先进封装圆片减薄设备、三维系统封装通孔设备、高密度倒装键合设备、新型圆片级封装用设备。硅片清洗、扩散、离子注入、材料沉积设备、自动封装系统、高洁净柔性搬送机器人、扫描电子显微镜、自动探针测试台等设备和仪器。发展5.5代及以上等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）、磁控溅射设备（Sputter）、曝光机、准分子激光退火设备、有机蒸镀设备、喷墨打印设备等。

　　三、突出补短锻长的产业链条

　　补短：加强5G射频微波、通用CPU、北斗导航、人工智能、显示驱动、功率半导体、信息安全、IP核、第三代半导体等领域高端芯片设计能力，优化GaAs/GaN生产工艺制程。大力发展3D NAND等先进存储芯片及先进晶圆代工产线。开展WLP（晶圆级封装）、MCP（多芯片封装）、SIP（系统级封装）等高附加值的先进封装业务，引入面向MEMS企业及射频/毫米波/太赫兹器件的特种封装测试技术，支持开展CSP、WLP、SIP、TSV、三维封装等先进封装测试技术的推广应用。实现5G中高频芯片、器件的产业化；超前布局太赫兹芯片，加大研究6G使用的100GHz～10THz的太赫兹频段，大功率GaN太赫兹二极管的制备等技术。

　　锻长：提高超高清视频摄录编设备、前端设备制造技术水平，持续优化终端设备制造等技术，不断突破超高清视频核心芯片、关键设备的技术。结合轨道交通、航天外测、北斗授时、卫星测运控，卫星载荷、星间链路，芯片设计、卫星导航终端等领先技术，力争在原有技术上不断巩固产业优势。

　　新闻来源：集微网